法國(guó)iXblu新推出的MXAN1300-LN-20調(diào)制器設(shè)計(jì)基于在選定的 LiNbO3 襯底上使用退火質(zhì)子交換用光波導(dǎo)蝕刻的 X 切割晶體。這種制造方法具有出色的性能，具有更高的光輸入功率處理能力。事實(shí)上，我們保證在高達(dá) 25 dBm 的 CW 光輸入下運(yùn)行，而不會(huì)影響光插入損耗、消光比穩(wěn)定性和調(diào)制器漂移的光折射限制效應(yīng)。
MXAN1300-LN-20 產(chǎn)品圖片
與我們的 MXAN 調(diào)制器系列的性能和要求一致，MXAN1300-LN-20 也是一種線性調(diào)制器，適用于高達(dá) 40 GHz 的軍事和民用應(yīng)用中要求苛刻的模擬傳輸鏈路。它具有低插入損耗以實(shí)現(xiàn)最佳鏈路增益和高線性度以保持信號(hào)質(zhì)量。
因此，MXAN1300-LN-20 是使用 LiNbO3 波導(dǎo)技術(shù)的高輸出功率調(diào)制信號(hào)解決方案的最佳選擇。它特別適用于微波鏈路和遠(yuǎn)程天線以及數(shù)據(jù)通信市場(chǎng)和調(diào)制方案（如 NRZ-44 Gb/s 和 PAM4-28 Gbauds）的過(guò)載接收機(jī)測(cè)試。
電學(xué)性能參數(shù)
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Electro-optic bandwidth |
S21 |
RF electrodes, from 2 GHz |
20 |
25 |
- |
GHz |
|
Ripple S21 |
DS21 |
RF electrodes, f < 20 GHz |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
Electrical return loss |
S11 |
RF electrodes, f < 20 GHz |
- |
-13 |
-9 |
dB |
|
Vπ RF @50 kHz |
VπRF50 kHz |
RF electrodes |
- |
5.5 |
6 |
V |
|
VπDC electrodes |
VπDC |
DC electrodes |
- |
4 |
4.5 |
V |
|
2nd harmonic suppression ratio |
H1 - H2 |
Measured @5 GHz, RFIN = 0 dBm |
- |
60 |
- |
dB |
|
Input 3rd order intercept |
IIP3 |
Measured @5 GHz |
28 |
30 |
- |
dBm |
|
RF input impedance |
Zin-RF |
- |
- |
50 |
- |
Ω |
|
DC input impedance |
Zin-DC |
- |
1 |
- |
- |
MΩ |
50ΩRF input
光性能參數(shù)
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Crystal |
- |
- |
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
|||
|
Operating wavelength |
λ |
- |
1260 |
1310 |
1350 |
nm |
|
Insertion loss |
IL |
Without connectors |
- |
4 |
5.5 |
dB |
|
DC extinction ratio |
ER |
線寬 < 200 MHz |
20 |
25 |
- |
dB |
|
Optical return loss |
ORL |
- |
-40 |
-45 |
- |
dB |
|
Chirp |
a |
- |
-0.1 |
0 |
0.1 |
- |
All specifications given at 25°C, 1310 nm, unless differently specified
絕對(duì)最大值
超過(guò)絕對(duì)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。 這些只是絕對(duì)壓力評(píng)級(jí)。 在這些或任何其他條件超出數(shù)據(jù)表操作部分中給出的條件時(shí)，不暗示器件的功能操作。 長(zhǎng)時(shí)間暴露于絕對(duì)最大額定值會(huì)對(duì)設(shè)備可靠性產(chǎn)生不利影響。
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Max |
Unit |
|
RF input power |
EPin |
- |
28 |
dBm |
|
Bias voltage |
Vbias |
-20 |
20 |
V |
|
Optical input power |
OPin |
- |
25 |
dBm |
|
Operating temperature |
OT |
0 |
70 |
°C |
|
Storage temperature |
ST |
-40 |
85 |
°C |
典型參數(shù)響應(yīng)：
更多產(chǎn)品信息，聯(lián)系蘇州波弗光電科技有限公司相關(guān)銷售人員獲取。
